NTMFD4C88NT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 11.7A, 14.2A Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 22.2nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1252pF @ 15V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerTDFN 供應商設備包裝 8-DFN (5x6) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 11.7A, 14.2A Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 22.2nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1252pF @ 15V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerTDFN 供應商設備包裝 8-DFN (5x6) |