NTR1P02T3G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 165pF @ 5V FET功能 - 功耗(最大值) 400mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 165pF @ 5V FET功能 - 功耗(最大值) 400mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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