NVMD6N04R2G數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 900pF @ 32V 功率-最大 1.29W 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
