NVTFS4C05NWFTAG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Ta), 102A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 31nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1988pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 3.2W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-WDFN (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Ta), 102A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 31nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1988pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 3.2W (Ta), 68W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-WDFN (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |