NXH80B120H2Q0SG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 配置 Dual Boost Chopper 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 41A 功率-最大 103W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.5V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值） 200µA 輸入電容（Cies）@ Vce 9.7nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 20-PIM/Q0PACK (55x32.5) |
