PDTC114TS數據表
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 500mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-89, SOT-490 供應商設備包裝 SC-89 |
NXP 制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 - 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SC-75 |
Nexperia 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-101, SOT-883 供應商設備包裝 DFN1006-3 |
Nexperia 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 TO-236AB |
Nexperia 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 TO-236AB |
Nexperia 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA 頻率-過渡 - 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70 |