PHB11N06LT數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 130mOhm @ 5.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.2nC @ 5V Vgs（最大） ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 330pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 33W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
