PHK04P02T數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 16V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.66A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 600mV @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.2nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 528pF @ 12.8V FET功能 - 功耗（最大值） 5W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
