PMCM6501UPEZ數據表
|
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19.1nC @ 4.5V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） 556mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 4-WLCSP (2x2) 包裝/箱 4-XFBGA, WLCSP |
