PMGD8000LN數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 125mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.35nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 18.5pF @ 5V 功率-最大 200mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 6-TSSOP |
