PMN120ENEX數據表
|
制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 123mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 7.4nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 275pF @ 30V FET功能 - 功耗（最大值） 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-TSOP 包裝/箱 SC-74, SOT-457 |
