PSMN1R0-40SSHJ數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 325A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.6V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 137nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 10322pF @ 25V FET功能 Schottky Diode (Body) 功耗（最大值） 375W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LFPAK88 (SOT1235) 包裝/箱 SOT-1235 |
