PSMNR58-30YLHX數據表
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制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 300A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 98nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6.16nF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Body) 功耗（最大值） - 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LFPAK56, Power-SO8 包裝/箱 SOT-1023, 4-LFPAK |
