QSE114E3R0數據表
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ON Semiconductor
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制造商 ON Semiconductor 系列 * 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 當前-暗（Id）（最大值） 100nA 波長 880nm 視角 50° 功率-最大 100mW 安裝類型 Through Hole 方向 Side View 工作溫度 -40°C ~ 100°C (TA) 包裝/箱 Radial, Side View |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 當前-暗（Id）（最大值） 100nA 波長 880nm 視角 50° 功率-最大 100mW 安裝類型 Through Hole 方向 Side View 工作溫度 -40°C ~ 100°C (TA) 包裝/箱 Radial, Side View |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 當前-暗（Id）（最大值） 100nA 波長 880nm 視角 50° 功率-最大 100mW 安裝類型 Through Hole 方向 Side View 工作溫度 -40°C ~ 100°C (TA) 包裝/箱 Radial, Side View |
制造商 ON Semiconductor 系列 * 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 當前-暗（Id）（最大值） 100nA 波長 880nm 視角 50° 功率-最大 100mW 安裝類型 Through Hole 方向 Side View 工作溫度 -40°C ~ 100°C (TA) 包裝/箱 Radial, Side View |
