R1RP0416DGE-2PR#B0數據表
|
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 12ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-SOJ |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 12ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-SOJ |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 12ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 12ns 訪問時間 12ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
