RCJ081N20TL數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 770mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5.25V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.5nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 330pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.56W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LPTS (SC-83) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
