RMLV0416EGSB-4S2#HA0數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP2 |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP2 |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP2 |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP2 |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.7V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-TFBGA 供應商設備包裝 48-FBGA (7.5x8.5) |
