RRH050P03TB1數據表
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.2nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 850pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 650mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 850pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 650mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |