RSD046P05TL數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 155mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 550pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 850mW (Ta), 15W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 CPT3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
