RUS100N02TB數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 4.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2250pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
