SCS120AGC數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io） 20A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 20A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 400µA @ 600V 電容@ Vr，F 860pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 175°C (Max) |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io） 12A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 12A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 240µA @ 600V 電容@ Vr，F 516pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 175°C (Max) |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io） 8A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 8A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 160µA @ 600V 電容@ Vr，F 345pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 175°C (Max) |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io） 6A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.5V @ 6A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 120µA @ 600V 電容@ Vr，F 260pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 175°C (Max) |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 二極管類型 Silicon Carbide Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io） 10A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 10A 速度 No Recovery Time > 500mA (Io) 反向恢復時間（trr） 0ns 當前-反向泄漏@ Vr 200µA @ 600V 電容@ Vr，F 430pF @ 1V, 1MHz 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-2 供應商設備包裝 TO-220AC 工作溫度-結點 175°C (Max) |
