SH8M11TB1數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.9nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 85pF @ 10V 功率-最大 2W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP |
