SI3443DV數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.4A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1079pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.4A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1079pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro6™(TSOP-6) 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |