SI4563DY-T1-GE3數據表
SI4563DY-T1-GE3數據表
總頁數: 12
大小: 130.7 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4563DY-T1-GE3, SI4563DY-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 85nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2390pF @ 20V 功率-最大 3.25W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 40V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A Rds On(Max)@ Id,Vgs 16mOhm @ 5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 85nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2390pF @ 20V 功率-最大 3.25W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |