SI4925BDY-T1-GE3數據表
SI4925BDY-T1-GE3數據表
總頁數: 8
大小: 181.95 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI4925BDY-T1-GE3, SI4925BDY-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.3A Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 50nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.3A Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 50nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |