SI5519DU-T1-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N and P-Channel FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 36mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 660pF @ 10V 功率-最大 10.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® ChipFET™ Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® ChipFet Dual |
