SI5975DC-T1-GE3數據表
SI5975DC-T1-GE3數據表
總頁數: 5
大小: 111.5 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SI5975DC-T1-GE3, SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.1A Rds On(Max)@ Id,Vgs 86mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 450mV @ 1mA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ |
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.1A Rds On(Max)@ Id,Vgs 86mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 450mV @ 1mA (Min) 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9nC @ 4.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 1206-8 ChipFET™ |