SI7159DP-T1-GE3數據表







制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 30A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 7mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 180nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 5170pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |