SI7172ADP-T1-RE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 7.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19.5nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1110pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 125°C 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SO-8 包裝/箱 PowerPAK® SO-8 |
