SIA911DJ-T1-GE3數據表
SIA911DJ-T1-GE3數據表
總頁數: 7
大小: 109.34 KB
Vishay Siliconix
此數據表涵蓋了2零件號:
SIA911DJ-T1-GE3, SIA911DJ-T1-E3
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12.8nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 355pF @ 10V 功率-最大 6.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SC-70-6 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12.8nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 355pF @ 10V 功率-最大 6.5W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® SC-70-6 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
