SIB404DK-T1-GE3數據表
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 12V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 19mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 800mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs(最大) ±5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 2.5W (Ta), 13W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® SC-75-6L Single 包裝/箱 PowerPAK® SC-75-6L |