SIE836DF-T1-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 18.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 130mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 41nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 5.2W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 10-PolarPAK® (SH) 包裝/箱 10-PolarPAK® (SH) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 18.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 130mOhm @ 4.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 41nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1200pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 5.2W (Ta), 104W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 10-PolarPAK® (SH) 包裝/箱 10-PolarPAK® (SH) |
