SIHD4N80E-GE3數據表
|
制造商 Vishay Siliconix 系列 E FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 622pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 69W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-PAK (TO-252AA) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
