SIS903DN-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen III FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 42nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2565pF @ 10V 功率-最大 2.6W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8 Dual |
