SISS61DN-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen III FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 30.9A (Ta), 111.9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 231nC @ 10V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8740pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 5W (Ta), 65.8W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerPAK® 1212-8S 包裝/箱 PowerPAK® 1212-8S |
