SIZ200DT-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen IV FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V 功率-最大 4.3W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerWDFN 供應商設備包裝 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
