SIZF920DT-T1-GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® Gen IV FET類型 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V 功率-最大 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-PowerWDFN 供應商設備包裝 8-PowerPair® (6x5) |
