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SQ2301ES-T1_GE3數據表

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Vishay Siliconix
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SQ2301ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

425pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-236 (SOT-23)

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3