SQ9407EY-T1_GE3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.6A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 40nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1140pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 3.75W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |