SSM6J206FE(TE85L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6J206FE(TE85L,F
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 130mOhm @ 1A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 335pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ES6 (1.6x1.6) 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 |
