STD6N62K3數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 SuperMESH3™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 620V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.5A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4.5V @ 50µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25.7nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 706pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 90W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |