STFW40N60M2數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 88mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2500pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 63W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOWATT-218FX 包裝/箱 ISOWATT218FX |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 88mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2500pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAKFP (TO-281) 包裝/箱 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II Plus FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 88mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2500pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220FP 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
