STH110N10F7-6數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 72nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5117pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H2PAK-6 包裝/箱 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
制造商 STMicroelectronics 系列 DeepGATE™, STripFET™ VII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 110A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 72nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5117pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H2Pak-2 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
