STH185N10F3-6數據表
|
制造商 STMicroelectronics 系列 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 180A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 114.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6665pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 315W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 H2PAK-6 包裝/箱 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
