STI10NM60N數據表












制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 10A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 550mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 70W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK (TO-262) 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 10A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 550mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220FP 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 10A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 550mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 70W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 10A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 550mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 70W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 10A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 550mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 50V FET功能 - 功耗(最大值) 70W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |