STL16N60M2數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ M2 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 355mOhm @ 4A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 10V Vgs(最大) ±25V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 704pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) 52W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PowerFlat™ (5x6) HV 包裝/箱 8-PowerVDFN |