STW38NB20數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 PowerMESH™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 38A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 65mOhm @ 19A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 95nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3800pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 180W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |