SUM33N20-60P-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V, 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs 59mOhm @ 20A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 113nC @ 15V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2735pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.12W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263 (D2Pak) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
