TF262TH-5-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 210µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 2V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝 VTFP |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 140µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 200mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 2V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 3-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝 VTFP |
