TPC6109-H(TE85L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC6109-H(TE85L,FM
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIII-H FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 59mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12.3nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 490pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 VS-6 (2.9x2.8) 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
